Wenn wir über Smartphone Spezifikationen sprechen, dann ist RAM ein Kernstück der mobilen Hardware, die nur all zu oft für meinen Geschmack vom Hersteller übersehen wird, aber zunehmend wichtiger für anspruchsvolle mobile Anwendungen ist.
Wir wissen bereits, dass Samsung mit den hauseigenen 4 GByte LPDDR3 mobilen Speicher-Chips, eine 30% ige Verbesserung in der Leistung und eine 20% Einsparung im Energieverbrauch zum Vergleich mit einem 30nm LPDDR3 DRAM-Chip erreichen kann.
Der Speicherhersteller SK-Hynix arbeitet momentan an 8 GByte Speicherriegeln, welche im 20nm Verfahren und mit LPDDR3 ausgestattet sind. In einer Sandwichbauweise werden Speicherriegel gestapelt, um zu derzeit satte 4 Gbyte in einem einzigen Paket zu kommen.
Aber ebenso wichtig wie die Größe der Speicherkapazität, wird laut SK Hynix das neue RAM auf High-Density LPDDR3 - welches eine höhere Datenübertragungsrate, eine höhere Bandbreite sowie eine verbesserte Energie-Effizienz hat, zu bringen.
In Bezug auf die pure Leistung wird das neue RAM - Mittel erster Wahl - da es die Geschwindigkeit bei der Datenübertragung auf bis zu 2.133 Mbps beschleunigen kann.
Dies ist ein gutes Stück schneller als die 1.600 Mbps der derzeitig verbauten LPDDR3 Speicher, welche auch im Galaxy S4 zu finden sind.
Laut einer Pressemitteilung von SK Hynix, werden wir die neuen LPDDR3-Chips mit mehr als 2 GB Speicher, noch vor Ende dieses Jahres in einigen High-End-Smartphones sehen. Eine Massenproduktion wird bis zum Ende des Jahres nicht mehr möglich sein, somit wird ein neuer Standard für Handys mit mehr als 2 GByte Speicher, frühestens 2014 zu erwarten sein.
(via androidauthority) (Bildquelle TechAsia)
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